miércoles, 1 de mayo de 2013

Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos - Boylestad, Nashelsky


En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación futuras. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET.

Por otra parte, se utiliza el modelo re del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede analizar el material por separado sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo re. El nivel de detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo.

En algunas áreas el contenido general en esencia no cambia, excepto por los comentarios adicionales y el reacomodo del texto. Por ejemplo, el apartado de respuesta en frecuencia (capítulo 9) ahora contiene comentarios adicionales sobre el uso de logaritmos y la realización del proceso de normalización, así como la sección Análisis por computadora que se ha movido a otra parte del texto. El análisis de las configuraciones del par Darlington y realimentación se reescribió en su totalidad para que compaginara mejor con las primeras secciones del mismo capítulo. La cobertura de amplificadores operacionales y redes digitales se reescribió por completo para mejorar su presentación y para actualizarlos.


Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 10m Edición.pdf (16.7 MB)
https://mega.co.nz/#!mNlVwYTS!XlxlKCP_TOi-ObjAYmpha39rnexKHo2i4SCva1uk-JM


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